A: 0 ， [img=15x42]18032527a598c11.png[/img]
B: [img=15x42]18032527a598c11.png[/img] ， 0
C: [img=24x42]18032527b7931f8.png[/img] ， [img=15x42]18032527a598c11.png[/img]
D: [img=15x42]18032527a598c11.png[/img] ， [img=24x42]18032527b7931f8.png[/img]
举一反三
- 有两块无限大均匀带电平面相互平行，它们的电荷面密度都为[img=25x19]18034e2e2be0071.png[/img] ，则两平面之间的电场强度的大小为 A: [img=15x42]18034e2e349a884.png[/img] B: 0 C: [img=24x42]18034e2e3d1c8eb.png[/img] D: [img=20x46]18034e2e45bf93f.png[/img]
- 有两块无限大均匀带电平面相互平行，它们的电荷密度都为[img=25x19]18034e2dc7d02b4.png[/img]，则两平面之间的电场强度大小为 A: 0 B: [img=15x42]18034e2dcfad7c0.png[/img] C: [img=24x42]18034e2dd8fbe08.png[/img] D: [img=20x46]18034e2de2908fb.png[/img]
- 真空中两个带等量同号电荷的无限大平行平面的电荷面密度分别为+σ和+σ,则两无限大带电平面之间的电场强度大小为多少;如果电荷面密度分别分别为+σ和-σ,那么两无限大带电平面之间的电场强度大小为多少, 未知类型：{'options': ['', ' [img=44x42]17e0baa8ad6b06c.png[/img]', ' [img=34x42]17e0baa8b81014c.png[/img]', ' [img=55x42]17e0baa8c2cbcb4.png[/img]'], 'type': 102}
- 如果两块无限大的均匀带电平面相互平行，它们的电荷面密度分别为[img=25x19]18034e2e114b97b.png[/img]和[img=25x19]18034e2e2e44f36.png[/img]，则两平面之间和两平面之外的电场强度大小分别为[img=257x277]18034e2e39d50ac.png[/img] A: [img=60x42]18034e2e432b4fd.png[/img] B: [img=42x42]18034e2e4beb335.png[/img] C: [img=33x42]18034e2e547899d.png[/img] D: [img=42x42]18034e2e5c96fbd.png[/img]
- 如果两块无限大的均匀带电平面相互平行，它们的电荷面密度分别为[img=25x19]18034e2ed5c8fa3.png[/img]和[img=25x19]18034e2ede48ced.png[/img]，则两平面之间和两平面之外的电场强度大小分别为[img=257x277]18034e2ee963060.png[/img] A: [img=60x42]18034e2ef237205.png[/img] B: [img=42x42]18034e2efb3e37c.png[/img] C: [img=33x42]18034e2f0342f22.png[/img] D: [img=42x42]18034e2f0b3aa51.png[/img]
内容
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真空中两块互相平行的无限大均匀带电平面。其电荷密度分别为+[img=11x14]1802efea9668af7.png[/img]和+[img=20x18]1802efea9e0693f.png[/img]，两板之间的距离为[img=10x19]1802efeaa5d246f.png[/img]，两板间的电场强度大小为 A: 0 B: [img=24x46]1802efeaae02265.png[/img] C: [img=15x42]1802efeab59152a.png[/img] D: [img=24x42]1802efeabe1682d.png[/img]
- 1
如图所示，将电荷面密度为[img=25x19]180375ea0b9726c.png[/img]的均匀带电的无限大平面B，移近不带电的无限大平行导体板A。当导体板A达到静电平衡后，极靠近A板的右侧一点Ｐ的场强大小为 [img=258x546]180375ea161ee98.png[/img] A: [img=24x42]180375ea1f7f133.png[/img] B: [img=15x42]180375ea28135b6.png[/img] C: [img=24x46]180375ea30d23a8.png[/img] D: [img=20x46]180375ea39e267e.png[/img]
- 2
如图所示，将电荷面密度为[img=25x19]1802ce48dda23d4.png[/img]的均匀带电的无限大平面B，移近不带电的无限大平行导体板A。当导体板A达到静电平衡后，极靠近A板的右侧一点Ｐ的场强大小为 [img=258x546]1802ce48e90c89e.png[/img] A: [img=24x42]1802ce48f285058.png[/img] B: [img=15x42]1802ce48fb12cd7.png[/img] C: [img=24x46]1802ce4903765fb.png[/img] D: [img=20x46]1802ce490c65181.png[/img]
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A、B为真空中两块平行无限大带电平面如图,已知两平面间的电场强度大小为[img=21x24]17e436c5b2fc099.png[/img],两平面外侧电场强度大小都是[img=21x24]17e436c5b2fc099.png[/img]/3,则A、B两平面上的电荷面密度分别为[img=60x41]17e436c5bdac466.png[/img]和[img=48x41]17e436c5c80a256.png[/img]。[img=117x168]17e436c5d22680d.png[/img]
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图中所示为一沿x轴放置的“无限长”分段均匀带电直线,电荷线密度分别为+λ(x<0)和-λ （x≥0),则Oxy坐标平面上点(0,a)处的场强为[img=9x21]1800da37c952f38.png[/img][img=179x98]1800da3a72fac0c.png[/img]