关于LC并联谐振回路中的品质因数，
A: 空载品质因素等于特性阻抗除以损耗电阻R
B: 空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以特性阻抗
C: 空载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp
D: 有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp、信号源电导Gs、负载电导[img=23x22]18031850f9507a7.png[/img]之和
E: 空载品质因素等于感抗(或容抗)与损耗电阻R之比
F: 空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)与并联谐振电阻Rp之比
G: 相比仅考虑空载品质因素时的通频带，考虑有载品质因素时的通频带降低
A: 空载品质因素等于特性阻抗除以损耗电阻R
B: 空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以特性阻抗
C: 空载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp
D: 有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp、信号源电导Gs、负载电导[img=23x22]18031850f9507a7.png[/img]之和
E: 空载品质因素等于感抗(或容抗)与损耗电阻R之比
F: 空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)与并联谐振电阻Rp之比
G: 相比仅考虑空载品质因素时的通频带，考虑有载品质因素时的通频带降低
举一反三
- 关于LC并联谐振回路中的品质因数，在高Q的情况下，正确的表述是 A: 反映并联谐振回路的损耗大小 B: 空载品质因素等于特性阻抗除以损耗电阻R C: 空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以特性阻抗 D: 空载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导gp E: 有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导gp、信号源电导gs、负载电导gL之和 F: 空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)除以损耗电阻R G: 空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以并联谐振时的感抗(或容抗) H: 空载品质因素等于感抗(或容抗)与损耗电阻R之比 I: 空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)与并联谐振电阻Rp之比 J: 相比空载品质因素时的通频带，有载品质因素时的通频带降低
- 关于LC并联谐振回路中的品质因数， A: 反映并联谐振回路的损耗大小 B: 空载品质因素等于并联谐振时的感抗(或容抗)除以损耗电阻R C: 空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以并联谐振时的感抗(或容抗) D: 有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp、信号源电导Gs、负载电导GL之和 E: 空载品质因素等于并联谐振时的总电抗与损耗电阻R之比 F: 空载品质因素等于并联谐振时的电抗之和与并联谐振电阻Rp之比 G: 空载品质因素等于特性阻抗与并联谐振电阻Rp之比 H: 相比仅考虑空载品质因素时的通频带，考虑有载品质因素时的通频带降低
- 关于LC并联谐振回路中的品质因数，错误的是 A: 空载品质因素等于特性阻抗除以损耗电阻R B: 空载品质因素等于并联谐振电阻Rp除以特性阻抗 C: 空载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp D: 空载品质因素等于感抗(或容抗)与损耗电阻R之比
- 关于LC并联谐振回路中的品质因数, A: 相比仅考虑空载品质因素时的通频带，考虑有载品质因素时的通频带降低 B: 有载品质因素等于并联谐振时的感纳(或容纳)除以并联谐振电导Gp、信号源电导Gs、负载电导GL之和 C: 空载品质因素等于特性阻抗与并联谐振电阻Rp之比 D: 空载品质因素等于并联谐振时的电抗之和与并联谐振电阻Rp之比
- 关于LC串联谐振回路中的品质因数， A: 空载品质因素等于串联谐振时的容抗与损耗电阻R之比 B: 空载品质因素等于特性阻抗与损耗电阻R之比 C: 相比仅考虑空载品质因素时的通频带，考虑有载品质因素时的通频带增大 D: 空载品质因素等于感抗与损耗电阻R之比 E: 空载品质因素等于失谐时感抗(或容抗)与损耗电阻R之比 F: 空载品质因素等于串联谐振时的总电抗与损耗电阻R之比 G: 空载品质因素等于串联谐振时的电抗之和除以损耗电阻R