关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-05-27 半导体材料发生间接复合时，有效复合中心的能级必靠近( )。 A: 禁带中部 B: 导带 C: 价带 D: 费米能级 半导体材料发生间接复合时，有效复合中心的能级必靠近( )。A: 禁带中部B: 导带C: 价带D: 费米能级 答案： 查看 举一反三 有效复合中心的能级靠近（）。A 禁带中部 B 导带 C 价带 D费米能级 A: A B: B C: C D: D 有效的复合中心能级位置在（ ）附近。 A: 费米能级处 B: 靠近导带底 C: 靠近价带顶 D: 禁带中央 n型半导体的费米能级位于什么位置？ A: 价带内 B: 禁带内靠近价带顶部 C: 禁带中部 D: 禁带内靠近导带底部 间接复合中，理想条件下，最有效的复合中心能级位置在（） A: 禁带中线处 B: 费米能级处 C: 杂质能级处 D: 导带底部 会起到复合中心作用的是Si-SiO2界面态位于（ ）。 A: 费米能级 B: 禁带中央 C: 导带底附近 D: 价带顶附近
