功率场效应晶体管一般是（）。
A: N沟道耗尽型
B: N沟道增强型
C: P沟道增强型
D: P沟道耗尽型
A: N沟道耗尽型
B: N沟道增强型
C: P沟道增强型
D: P沟道耗尽型
举一反三
- CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
- 图中场效应管为（） A: 增强型N沟道 B: 增强型P沟道 C: 耗尽型N沟道 D: 耗尽型P沟道
- 绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（） A: P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B: 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C: N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D: N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
- 假设漏极电流的参考方向均为流入漏极，下图三种特性曲线，分别属于哪一种场效应管______。[img=470x168]18030dde7a220cc.png[/img] A: N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型 B: N沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型 C: P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道结型 D: P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道结型
- 各种类型FET的输出特性曲线如下图(a)、(b)、(c)所示,由此可判断出各管的类型分别为()。[img=608x522]17e0b23bdc0bc39.jpg[/img] A: N沟道JFET,N沟道增强型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET B: N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道耗尽型MOSFET C: N沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET D: P沟道JFET,N沟道耗尽型MOSFET,P沟道增强型MOSFET