18033dc6e014bdc.png的沸点[img=52x25]18033dc6e98149f.png[/img]比[img=35x22]18033dc6f15abb6.png[/img]的沸点[img=61x25]18033dc6f977b08.png[/img]低得多的原因是
A: [img=50x22]18033dc701913ec.png[/img]的分子量比[img=35x22]18033dc70a1437d.png[/img]的分子量大得多
B: [img=50x22]18033dc701913ec.png[/img]形成分子间氢键，[img=35x22]18033dc70a1437d.png[/img]形成分子内氢键
C: [img=50x22]18033dc701913ec.png[/img]形成分子内氢键，[img=35x22]18033dc70a1437d.png[/img]形成分子间氢键
D: [img=50x22]18033dc701913ec.png[/img]分子中有[img=18x27]18033dc73b5d46c.png[/img]大[img=11x14]18033dc743aafe2.png[/img]键，而[img=35x22]18033dc70a1437d.png[/img]分子中没有
A: [img=50x22]18033dc701913ec.png[/img]的分子量比[img=35x22]18033dc70a1437d.png[/img]的分子量大得多
B: [img=50x22]18033dc701913ec.png[/img]形成分子间氢键，[img=35x22]18033dc70a1437d.png[/img]形成分子内氢键
C: [img=50x22]18033dc701913ec.png[/img]形成分子内氢键，[img=35x22]18033dc70a1437d.png[/img]形成分子间氢键
D: [img=50x22]18033dc701913ec.png[/img]分子中有[img=18x27]18033dc73b5d46c.png[/img]大[img=11x14]18033dc743aafe2.png[/img]键，而[img=35x22]18033dc70a1437d.png[/img]分子中没有
举一反三
- 1803426028af8e5.png的沸点比[img=33x22]18034260315213f.png[/img]高的原因是，[img=35x22]1803426028af8e5.png[/img]分子间存在氢键，增大的[img=35x22]1803426028af8e5.png[/img]之间的作用力。
- 1803c3fb0ad2dd7.png·6[img=35x22]1803c3fb12662a1.png[/img]直接加热，产物为（ ）。 A: [img=44x22]1803c3fb19bd979.png[/img]+[img=35x22]1803c3fb2204f27.png[/img] B: [img=50x22]1803c3fb2a18fa8.png[/img]+[img=35x22]1803c3fb2204f27.png[/img] C: [img=142x25]1803c3fb39705c6.png[/img] D: [img=101x22]1803c3fb41ebd97.png[/img]
- X射线的波长大约是多少（）m？ A: [img=35x22]1802e152a714827.png[/img] B: [img=35x22]1802e152afa6fc1.png[/img] C: [img=41x22]1802e152b83ed97.png[/img] D: [img=41x22]1802e152c1f483f.png[/img]
- 令F(x):x是有理数,G(x):x是实数。将命题“所有的有理数都是实数,但有的有实数不是有理数”符号化为() 未知类型：{'options': ['17e0a83a4157352.jpgx(F(x)∧G(x))∧[img=8x14]17e0a83a35505d4.jpg[/img]x(G(x)[img=14x9]17e0a73094b5dcf.jpg[/img][img=10x11]17e0a839b915354.jpg[/img]F(x))', ' [img=8x14]17e0a83a4157352.jpg[/img]x(F(x)[img=14x9]17e0a73094b5dcf.jpg[/img]G(x))∧[img=8x14]17e0a83a35505d4.jpg[/img]x(G(x)∧[img=10x11]17e0a839b915354.jpg[/img]F(x))', ' [img=8x14]17e0a83a4157352.jpg[/img]x(F(x)∧G(x))∧[img=8x14]17e0a83a35505d4.jpg[/img]x(G(x)∧[img=10x11]17e0a839b915354.jpg[/img]F(x))', ' [img=8x14]17e0a83a4157352.jpg[/img]x(F(x)[img=14x9]17e0a73094b5dcf.jpg[/img]G(x))∧[img=8x14]17e0a83a35505d4.jpg[/img]x(G(x)[img=14x9]17e0a73094b5dcf.jpg[/img][img=10x11]17e0a839b915354.jpg[/img]F(x))'], 'type': 102}
- 如图所示，真空中，矩形导体框架置于通有电流I的长直载流导线旁，且两者共面，AD边与直导线平行，DC段可沿框架平动，设导体框架的总电阻R始终不变。现DC段以速度v沿框架向下作匀速运动，则当DC运动到图示位置（与AB相距x）时，穿过ABCD回路的磁通量[img=22x23]18035e9bf631ab5.png[/img]为（ ）[img=228x311]18035e9c01eb7a0.png[/img] A: [img=95x44]18035e9c0fadb87.png[/img] B: [img=95x44]18035e9c1d5c33c.png[/img] C: [img=36x44]18035e9c2578181.png[/img] D: [img=93x44]18035e9c2e59f6e.png[/img]