非均匀形核的形核功与接触角θ有关，θ角（），形核功越小，形核率越高。
A: 越小
B: 越大
C: 为90°
D: 以上都不对
A: 越小
B: 越大
C: 为90°
D: 以上都不对
举一反三
- 非均匀形核的形核功与接触角有关,接触角越小,形核功越大,形核率越低。
- 非均匀形核的形核功、接触角和晶核和杂质之间的界面能之间的关系为()。 A: 晶核和杂质之间的界面能越小，接触角越大，形核功越大 B: 晶核和杂质之间的界面能越大，接触角越大，形核功越小 C: 晶核和杂质之间的界面能越小，接触角越小，形核功越大 D: 晶核和杂质之间的界面能越小，接触角越小，形核功越小
- 过冷度越大（ ）。 A: 临界晶核越大，形核功越小 B: 临界晶核越小，形核功越大 C: 临界晶核越大，形核功越大 D: 临界晶核越小，形核功越小
- 在均匀形核中，过冷度越大，临界半径()，形核功()。 A: 越大，越大 B: 越小，越小 C: 越大，越小 D: 越小，越大
- 下述说法哪些正确？非均匀形核时，θ角越小，形核越容易。这是因为（） A: 临界晶核的体积和表面积越小； B: 形核需要的过冷度越小； C: 需要的形核功越小。。