下列关于二极管的大信号模型说法正确的是()
A: 理想模型正偏导通,二极管上电压为0。
B: 恒压降模型正偏导通,硅二极管上电压为0.7v。
C: 理想模型反偏截止流过二极管电流为0。
A: 理想模型正偏导通,二极管上电压为0。
B: 恒压降模型正偏导通,硅二极管上电压为0.7v。
C: 理想模型反偏截止流过二极管电流为0。
A,B,C
举一反三
- 下面关于二极管的恒压降模型,描述正确的是( )。 A: 正偏时的导通电压恒为0 B: 正偏时的导通电压恒为某电压值 C: 反偏时的电流为0 D: 反偏时的电流不为0
- 图示二极管电路,电压源V为1V,二极管为硅管,R为1千欧,试求电流I=( )mA。(提示:理想模型二极管导通压降为0,非理想模型导通压降为0.7V)[img=728x443]1803a5c9627bec8.png[/img]
- 硅二极管的恒压降模型,导通电压为0.2V。
- 硅二极管的恒压降模型包含() A: 导通电压为0.7V B: 反向击穿电压为无穷大 C: 正向导通电阻为零 D: 反向饱和电流为0
- 对二极管模型的描述不正确的是( )。 A: 二极管理想模型,正向偏置时电阻为零,反向偏置时电阻无穷大 B: 二极管的恒压降模型,硅管导通压降0.7V,锗管导通压降0.2V C: 二极管折线模型,看成是0.5V的电源和一个电阻串联,此时二极管电流大于1mA D: 二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关
内容
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恒压降模型中,硅二极管的正向偏置时导通电压为: A: 0V B: 0.7V
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以下关于半导体二极管说法正确的有( )。 A: 半导体二极管外施正偏电压时,势垒区变窄 B: 半导体二极管正向偏置时,扩散电流大于漂移电流,总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下,硅二极管的开启电压约为0.1V,正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下,锗二极管的开启电压约为0.1V,正向导通的管压降约为0.2V E: 常温下,锗二极管的开启电压约为0.5V,正向导通的管压降约为0.7V F: 常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,正向导通的管压降约为0.7V
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二极管的伏安特性曲线描绘了加在二极管上的电压与流过二极管的电流的关系。()
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二极管的恒压降模型中两端加上正偏电压时()。 A: 超过死区电压才导通 B: 超过0.7V才导通 C: 一定导通 D: 超过0.3V才导通
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什么情况下使用二极管的恒压降模型模型分析二极管的导通和截止状态()? A: 输入和流过二极管的电压较小时,使用恒压降模型分析二极管; B: 输入和流过二极管的电压很大时,使用恒压降模型分析二极管; C: 任何情况下都使用恒压降模型分析二极管; D: 任何情况下都不使用恒压降模型分析二极管;