以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中,错误的是()。
A: 在较大负电压时,C为常数值Cox
B: 当Vg=0时,出现平带情况,此时电容为平带电容
C: 当Vg>0时,低频时C随着Vg增加,并将趋于一个定值
D: 当Vg>0时,高频时C随着Vg减少,并将趋于一个定值
A: 在较大负电压时,C为常数值Cox
B: 当Vg=0时,出现平带情况,此时电容为平带电容
C: 当Vg>0时,低频时C随着Vg增加,并将趋于一个定值
D: 当Vg>0时,高频时C随着Vg减少,并将趋于一个定值
举一反三
- 以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中,错误的是( )。 A: 在较大负电压时,C为常数值Cox B: 当VG=0时,出现平带情况,此时电容为平带电容 C: 当VG>0时,低频时C随着VG增加,并将趋于一个定值 D: 当VG>0时,高频时C随着VG减少,并将趋于一个定值
- 高频时的MIS电容值与低频时的MOS电容值在( )时明显不同.zz A: 反型 B: 耗尽 C: 堆积 D: 平带
- 若不考虑价格因素,则2003年~2011年九年,江苏金融业增加值年均增速VL、第三产业增加值年均增速VS,地区国内生产总值年均增速VG的大小关系是()。 A: VS>VL>VG B: VL>VG>VS C: VL>VS>VG D: VS>VG>VL
- 固体催化剂的平均孔半径r与比孔容Vg、比表面积S之间的关系为()。 A: r=2Vg/S B: r=Vg/S C: Vg=r/S D: Vg=S/r
- 船舶对水航速VL,对地航速VG,船速VE,如果VG