• 2022-07-27
    以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中,错误的是()。
    A: 在较大负电压时,C为常数值Cox
    B: 当Vg=0时,出现平带情况,此时电容为平带电容
    C: 当Vg>0时,低频时C随着Vg增加,并将趋于一个定值
    D: 当Vg>0时,高频时C随着Vg减少,并将趋于一个定值