在MOS管的栅极引脚输入高电平,其漏极和源极导通。 (
)
)
错误
举一反三
- MOS管的漏极和源极之间可以看作是一个受栅极和源极之间电压控制的开关。
- CMOS非门是由一个NMOS和一个PMOS组成，其栅极相连作为输入，漏极相连作为输出，NMOS源极需接（）电平，PMOS源极接（）电平。
- MOS晶体管为四极管，具有栅极G、源极S、漏极D和基极B
- CMOS反相器的组成是由PMOS管和NMOS管互补对称连接起来的,将PMOS管的栅极G1和NMOS管的栅极G2接在一起作输入,而其输出则是( )连接起来。 A: PMOS管的源极S1和NMOS管的源极S2 B: PMOS管的源极S1和NMOS管的漏极D2 C: PMOS管的漏极D1和NMOS管的源极S2 D: PMOS管的漏极D1和NMOS管的漏极D2
- 场效应管放大电路中，栅极输入，漏极输出是（ ）放大电路。 A: 共源极 B: 共栅极 C: 共漏极
内容
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MOS晶体管为四极管，具有栅极G、源极S、漏极D和基极B A: 正确 B: 错误
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IGBT之间只要施加正向电压且大于开启电压，IGBT就可以导通；只要施加反向电压IGBT就可以关断（） A: 栅极与漏极 B: 栅极与源极 C: 源极与漏极 D: 均不对
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场效应管是利用( )(栅极、漏极、源极)电压来控制( )(栅极、漏极、源极)电流大小的半导体器件
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输入加在栅极和源极间的输入回路，输出加在漏极和源极间的输出回路，这为共源极放大电路。
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MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。