由于CMOS反相器的噪声容限一般大于TTL反相器的噪声容限,所以CMOS反相器的抗干扰能力强
举一反三
- CMOS反相器的噪声容限比TTL反相器的噪声容限大,所以CMOS反相器的抗干扰能力强
- 假设Vdd=5V,CMOS反相器的噪声容限均比TTL反相器的噪声容限高。
- 假设Vdd=5V,CMOS反相器的噪声容限和TTL反相器的噪声容限各是多少? A: CMOS噪声容限都是1.4V,TTL噪声容限是0.4V B: CMOS噪声容限都是1.4V,TTL低电平噪声容限0.4V,高电平噪声容限0.6V C: CMOS低电平噪声容限是1.4V,高电平噪声容限是1.2V,TTL低电平噪声容限0.3V,高电平噪声容限3.6 D: CMOS低电平噪声容限是1.4V,高电平噪声容限是1.2V,TTL的噪声容限都是0.4V
- (3)当电源电压同取5V时,CMOS反相器输入噪声容限与TTL反相器输入噪声容限相比较,前者高。
- 简述CMOS反相器噪声容限的定义。