下面哪个图是增强型NMOS转移特性曲线
A: [img=170x190]1803d0606245967.png[/img]
B: [img=197x190]1803d0606d44e0c.png[/img]
C: [img=184x189]1803d060793d4f5.png[/img]
D: [img=174x189]1803d0608433af3.png[/img]
A: [img=170x190]1803d0606245967.png[/img]
B: [img=197x190]1803d0606d44e0c.png[/img]
C: [img=184x189]1803d060793d4f5.png[/img]
D: [img=174x189]1803d0608433af3.png[/img]
举一反三
- 1、 下面哪个图是耗尽型PMOS转移特性曲线（） A: [img=184x189]1803d05fd2c1d2e.png[/img] B: [img=170x190]1803d05fdd9c92d.png[/img] C: [img=174x189]1803d05fe8f3c74.png[/img] D: [img=197x190]1803d05ff2e500d.png[/img]
- 在下列命题中:如果f(x)=[img=28x44]17e0bf9914bb2f1.png[/img],那么[img=27x29]17e0bf97582597b.png[/img]f(x)=0;如果f(x)=[img=28x44]17e0bf992111a1c.png[/img],那么[img=27x29]17e0bf97582597b.png[/img]f(x)=0;如果f(x)=[img=55x44]17e0bf992d8de0a.png[/img],那么[img=29x29]17e0bf9939482bb.png[/img]f(x)不存在;如果f(x)=[img=87x53]17e0bf99450fa82.png[/img],那么[img=27x29]17e0bf97582597b.png[/img]f(x)=0。其中错误命题的个数是( A: 0 B: 1 C: 2 D: 3
- 设随机变量(X,Y)在区域｛(x,y): 0<|y|< x <2｝内均匀分布，则以下结果正确的是 A: 当0<x<2时，[img=96x25]1802dded7db6eef.png[/img]. B: E(X)=4/3 C: 当0<|y|<2时,[img=105x45]1802dded872b92f.png[/img]. D: P(X<1)=0.5 E: 当0<x<2时,[img=110x45]1802dded915de6e.png[/img]. F: E(X)=2/3 G: 当0<y<2时，[img=95x43]1802dded9a54300.png[/img].
- 增强型NMOS转移特性曲线是_________。 A: [img=204x221]180373f8caed4fa.png[/img] B: [img=195x222]180373f8d57ae89.png[/img] C: [img=194x220]180373f8e1197cc.png[/img] D: [img=215x211]180373f8ed9ddf5.png[/img]
- 已知f(x)=x，g([img=17x17]1803ba6e9f63ed6.png[/img]，[img=17x17]1803ba6ea7375f0.png[/img]，[img=17x17]1803ba6eaef4fad.png[/img])=[img=17x17]1803ba6e9f63ed6.png[/img]*([img=17x17]1803ba6ea7375f0.png[/img] +1)， 其中x，[img=17x17]1803ba6e9f63ed6.png[/img]，[img=17x17]1803ba6ea7375f0.png[/img] ，[img=17x17]1803ba6eaef4fad.png[/img]均为自然数，新函数h可递归的构造如下：h(0,x) = f(x), 且h(S(n), x) = g(h(n,x),n,x)，请按递归式进行计算下列式子，不正确的是_____。 A: h(1，x) = x B: h(2，x) = 2x C: h(3，x) = 6x D: h(4，x) = 12x