再结晶晶核形成之后,晶核可自发生长,晶核界面的移动方向是()。
A: 朝向界面曲率中心
B: 背离界面曲率中心
C: 朝向细小晶粒区域
D: 朝向粗大晶粒区域
A: 朝向界面曲率中心
B: 背离界面曲率中心
C: 朝向细小晶粒区域
D: 朝向粗大晶粒区域
B
举一反三
- 结晶过程中，晶核越多，生长速率越慢，则凝固后的晶粒越细小；反之则晶粒越粗大。
- 晶核在长大时，其界面总是向（）区域推进。 A: 无畸变 B: 新晶粒 C: 畸变 D: 不一定
- 金属晶体结晶时，晶核生长速率与动态过冷度成正比，则（ ）。 A: 该晶核与液相的界面为光滑界面 B: 该晶核藉由螺型位错长大 C: 该晶核藉由孪晶界长大 D: 该晶核与液相的界面为粗糙界面
- 再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。 A: 曲率中心 B: 曲率中心相反 C: 曲率中心垂直
- 在热处理过程中，加热速度越快，奥氏体晶粒越粗大；原始组织越粗大，相的界面越多，奥氏体晶核数目也越多，有利于获得细小组织；
内容
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在烧结中、后期的晶粒生长过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界移动的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。 A: 曲率中心 B: 曲率中心相反 C: 曲率中心垂直 D: 任意
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金属的结晶过程包含了______和______。 A: 晶核不断形成／晶核长大 B: 晶粒／晶界 C: 晶界／亚晶界 D: 晶核／晶核长大
- 2
在过冷度很小的情况下结晶时，晶核的生成速度也很小，而晶核长大的速度却增大，则形成晶粒（）的结构。 A: 粗大 B: 细小 C: 均匀 D: 条状
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金属结晶后形成晶粒的大小与晶核数目和晶核长大的速度有关。
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为了降低界面能，多晶体内部发生晶界迁移以减小晶界面积，那么（ ） A: 界面迁移只会发生在平直晶界 B: 界面迁移可发生在平直晶界或弯曲晶界，移动方向随机 C: 界面迁移只会发生在弯曲晶界，移动方向指向曲率中心 D: 界面迁移只会发生在弯曲晶界，移动方向背离曲率中心