在Si晶体中，掺入与Si原子大小相似的其它原子，容易形成（）式杂质。
举一反三
- B原子掺入Si晶体中，形成替位式杂质，其电离后在Si中留下可动的负电中心。
- 在Si中掺入P原子，形成（）主杂质。
- 在Si晶体中掺入P原子，形成 型半导体；掺入B原子，形成 型半导体。（大写字母表示）
- 指出SiC在晶体中晶格结点上的微粒（）、微粒间的作用力（）、晶体类型（）和熔点高低（）。 A: 分子SiC，金属键，原子晶体，高 B: 原子Si、C，共价键，原子晶体，高 C: 原子Si、C，金属键，原子晶体，高 D: 原子Si、C，金属键，金属晶体，高
- 将金刚石晶体中的C原子换作Si，所得即为Si晶体，Si晶体中，相邻原子间以__________键结合，Si晶体是__________晶体，其熔点比金刚石__________，硬度比金刚石____________。在每个Si-Si键之间插入1个O原子，所得即为SiO2晶体，SiO2晶体中，每个Si原子连接着__________个O原子，其空间几何构型为____________，每个O原子连接__________个Si原子，SiO2晶体是____________晶体，该晶体__________(“存在”或“不存在”)分子，每个最小SiO原子环上有__________个原子。