• 2022-07-02
    晶体中的缺陷和杂质会降低热导率。
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      如果CaF2晶体中,含有百万分之一的YF3杂质,则在1600℃时,CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度(CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV)? ( ) A: 对 B: 错

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      在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,如果MgO晶体中,含有百万分之一mol的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中杂质缺陷占优势?( )

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      在CaF2晶体中,弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV,肖特基缺陷形成能为5.5eV,若该晶体中还含有百万分之一的YF3杂质,则在1600度时,占优势的缺陷为杂质缺陷。

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      晶体的缺陷按几何维度可划分为点缺陷、()和体缺陷。其中点缺陷又可分为()和杂质缺陷。

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      若在NaCl晶体中,含有0.0002 mol的CaCl2杂质,则在800度时,NaCl晶体中占优势的缺陷是 缺陷?已知在NaCl晶体中,肖特基缺陷的形成能为2.4eV。