晶体中的缺陷和杂质会降低热导率。
对
举一反三
- 晶体中的缺陷和杂质会降低热导率。 A: 正确 B: 错误
- 杂质的引入会增加晶体的热导率
- 杂质的引入会增加晶体的热导率 A: 正确 B: 错误
- 在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，且MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势( ) A: 无法计算 B: 杂质缺陷 C: 相等 D: 热缺陷
- 若在NaCl晶体中，含有0.02% mol的CaCl2杂质，则在800℃时，NaCl晶体中占优势的缺陷是？已知在NaCl晶体中，肖特基缺陷的形成能为2.4 eV。 A: 杂质缺陷 B: 肖特基缺陷 C: 弗伦克尔缺陷 D: 非化学计量缺陷
内容
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如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？ （ ） A: 对 B: 错
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在MgO晶体中，肖特基缺陷的生成能为6ev，如果MgO晶体中，含有百万分之一mol的Al2O3杂质，则在1600℃时，MgO晶体中杂质缺陷占优势？( )
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在CaF2晶体中，弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV，肖特基缺陷形成能为5.5eV，若该晶体中还含有百万分之一的YF3杂质，则在1600度时，占优势的缺陷为杂质缺陷。
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晶体的缺陷按几何维度可划分为点缺陷、（）和体缺陷。其中点缺陷又可分为（）和杂质缺陷。
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若在NaCl晶体中，含有0.0002 mol的CaCl2杂质，则在800度时，NaCl晶体中占优势的缺陷是 缺陷？已知在NaCl晶体中，肖特基缺陷的形成能为2.4eV。