本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（ ）。
A: 自由电子数目增多，空穴数目不变
B: 自由电子和空穴数目不变
C: 自由电子数目不变，空穴数目增多
D: 自由电子数目增多，空穴数目增多，且增量相同
A: 自由电子数目增多，空穴数目不变
B: 自由电子和空穴数目不变
C: 自由电子数目不变，空穴数目增多
D: 自由电子数目增多，空穴数目增多，且增量相同
举一反三
- 本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。 A: 自由电子数目增加，空穴数目不变 B: 空穴数目增多，自由电子数目不变 C: 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 D: 自由电子和空穴数目不变
- 温度升高后，在纯净半导体中，其电子和空穴的变化为（ ）。 A: 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B: 空穴增多，自由电子数目不变 C: 自由电子增多，空穴数目不变 D: 自由电子和空穴数目都不变
- 本征半导体在温度升高后，（ ）。 A: 自由电子数目增多，空穴数目基本不变 B: 空穴数目增多，自由电子数目基本不变； C: 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 D: 自由电子和空穴数目基本不变
- 温度升高后，在本征半导体中（）。 A: 自由电子和空穴数目都增多且增量相同 B: 空穴增多而自由电子数目不变 C: 自由电子增多而空穴数目不变 D: 自由电子和空穴数目都不变
- 本征半导体温度升高后() A: 自由电子数目增多,空穴数目基本不变 B: 自由电子和空穴的数目不变 C: 空穴数目增多,自由电子数目基本不变 D: 自由电子和空穴的数目都增多