对于轻掺杂为P的Si,费米能级EF随温度上升而()。
A: 单调上升
B: 单调下降
C: 经过一极小值后趋近Ei
D: 经过一极大值后趋近Ei
A: 单调上升
B: 单调下降
C: 经过一极小值后趋近Ei
D: 经过一极大值后趋近Ei
举一反三
- 对于只含有一种杂质的非简并p型半导体，费米能级EF随温度升高而（） A: 经过一极小值趋近Ei B: 单调下降 C: 单调上升 D: 经过一极大值趋近Ei
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体,费米能级随温度升高而() A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近Ei D: 经过一极大值趋近Ei
- 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度的上升而 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近本征费米能级 D: 经过一极大值趋近本征费米能级
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803a202bd3805f.png[/img]随温度升高而（ ） A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近[img=18x22]1803a202c5eb7ab.png[/img] D: 经过一极大值趋近[img=18x22]1803a202c5eb7ab.png[/img]
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803c7ab2512f87.png[/img]随温度升高而（ ） A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img] D: 经过一极大值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]