A: 单调上升
B: 单调下降
C: 经过一极小值后趋近Ei
D: 经过一极大值后趋近Ei
举一反三
- 对于只含有一种杂质的非简并p型半导体，费米能级EF随温度升高而（） A: 经过一极小值趋近Ei B: 单调下降 C: 单调上升 D: 经过一极大值趋近Ei
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体,费米能级随温度升高而() A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近Ei D: 经过一极大值趋近Ei
- 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度的上升而 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近本征费米能级 D: 经过一极大值趋近本征费米能级
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803a202bd3805f.png[/img]随温度升高而（ ） A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近[img=18x22]1803a202c5eb7ab.png[/img] D: 经过一极大值趋近[img=18x22]1803a202c5eb7ab.png[/img]
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803c7ab2512f87.png[/img]随温度升高而（ ） A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img] D: 经过一极大值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]
内容
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对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803c7ab2512f87.png[/img]随温度升高而（ ） 未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1803c7ab2da022b.png[/img]'], 'type': 102}
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对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1802f7fba646884.png[/img]随温度升高而（ ） 未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1802f7fbaeb97f9.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1802f7fbaeb97f9.png[/img]'], 'type': 102}
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对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级[img=22x22]1803a1b20e14aa6.png[/img]随温度升高而（ ） 未知类型：{'options': ['单调上升', '单调下降', '经过一极小值趋近[img=18x22]1803a1b216ee963.png[/img]', '经过一极大值趋近[img=18x22]1803a1b216ee963.png[/img]'], 'type': 102}
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轻掺杂为B的Si,其电阻率随温度升高变化过程为()。 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 不变 D: 先减小后增大再减小
- 4
只掺施主的n型半导体,在低温弱电离区费米能级随温度升高如何变化?(<br/>) A: 单调下降; B: 单调上升; C: 先上升后下降; D: 先下降后上升;