晶体管的混合π等效模型和H参数等效模型之间的关系为( )。
A: 二者在任何情况下都能等效
B: 二者在任何情况下都不能等效
C: 二者在高频时可以等效
D: 二者在中低频时可以等效
A: 二者在任何情况下都能等效
B: 二者在任何情况下都不能等效
C: 二者在高频时可以等效
D: 二者在中低频时可以等效
举一反三
- 混合π模型和h参数等效模型之间的关系为（）。 A: 在任何情况下都可以等效 B: 在任何情况下都不能等效 C: 在高频时可以等效 D: 在中低频可以等效
- 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型）<br/>判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。<br/>（1）$h$参数等效模型可以用于输入为小信号时放大电路的动态分析。 A: Yes B: No
- 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型）判断下列说法是否正确，对者选“YES”错者选“NO”。（1）[mathjaxinline]h[/]参数等效模型可以用于输入为小信号时放大电路的动态分析。 A: Yes B: No
- 在低频小信号作用下，晶体管可用微变等效模型来等效，即基极与发射极之间等效为 。
- 晶体管的h参数等效模型在高频下还适应吗？为什么？