已知某NMOS器件的Vt=1V，[img=162x28]180305b5359a94d.png[/img]，[img=20x22]180305b53d5d608.png[/img]=50V，且工作点电流[img=19x22]180305b5453a40c.png[/img]=0.5mA，则其小信号模型参数[img=20x18]180305b54e27215.png[/img]=（ ）mA/V，[img=15x17]180305b556336b7.png[/img]=( )kΩ。
A: 1,100
B: 0.5，50
C: 1, 50
D: 2,100
A: 1,100
B: 0.5，50
C: 1, 50
D: 2,100
举一反三
- 设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]1803935f528e84e.png[/img] B: [img=75x24]1803935f5bdc5ee.png[/img] C: [img=75x24]1803935f6504ce2.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5)
- 设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]18036de4b8088be.png[/img] B: [img=75x24]18036de4bf77b71.png[/img] C: [img=75x24]18036de4c8172a3.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5) F: >P(X<1)
- 设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]1803645ffb36da1.png[/img] B: [img=75x24]180364600306be0.png[/img] C: [img=75x24]180364600c8ab8b.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5) F: >P(X<1)
- 设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]18035b3d47a8410.png[/img] B: [img=75x24]18035b3d50597f9.png[/img] C: [img=75x24]18035b3d59275e6.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5) F: >P(X<1)
- 设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]1803637a2a05d69.png[/img] B: [img=75x24]1803637a32412c9.png[/img] C: [img=75x24]1803637a3ab9225.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5) F: >P(X<1)