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  • 2022-07-28
    ‍已知某NMOS器件的Vt=1V，[img=162x28]180305b5359a94d.png[/img]，[img=20x22]180305b53d5d608.png[/img]=50V，且工作点电流[img=19x22]180305b5453a40c.png[/img]=0.5mA，则其小信号模型参数[img=20x18]180305b54e27215.png[/img]=（ ）mA/V，[img=15x17]180305b556336b7.png[/img]=( )kΩ。‍
    A: 1,100
    B: 0.5，50
    C: 1, 50
    D: 2,100
    • A
    公众号
    广告招租

    举一反三

    内容

    • 0

      设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]1802daf0ea2780e.png[/img] B: [img=75x24]1802daf0f1ac337.png[/img] C: [img=75x24]1802daf0f9eeb81.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5) F: >P(X<1)

    • 1

      设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]180306cf0c04e19.png[/img] B: [img=75x24]180306cf13f21f4.png[/img] C: [img=75x24]180306cf1b9a425.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5) F: >P(X<1)

    • 2

      设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]1803837fe7760ae.png[/img] B: [img=75x24]1803837ff10952c.png[/img] C: [img=75x24]1803837ffec5976.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5) F: >P(X<1)

    • 3

      设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]1802dae8207cae1.png[/img] B: [img=75x24]1802dae8283d0e8.png[/img] C: [img=75x24]1802dae83024c3c.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5) F: >P(X<1)

    • 4

      设X与Y相互独立，均服从参数为1的指数分布，则P(X+Y<1) A: [img=84x24]18033e2489ed380.png[/img] B: [img=75x24]18033e2492981d3.png[/img] C: [img=75x24]18033e249ad5a31.png[/img] D: =P(X<1)P(X<1) E: =P(X<0.5)+P(X<0.5) F: >P(X<1)