放大电路的上限截止频率与（ ）电容相关。
A: 耦合
B: 旁路
C: 三极管极间
D: 导线分布
A: 耦合
B: 旁路
C: 三极管极间
D: 导线分布
C
举一反三
- 放大电路的上限截止频率与（ ）电容相关。 A: 耦合 B: 旁路 C: 三极管极间 D: 导线分布
- 放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在__________电容。 A: 耦合 B: 旁路 C: 耦合电容和旁路电容 D: 三极管极间
- 放大电路在高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在_________电容。 A: 耦合电容 B: 旁路电容 C: 耦合电容和旁路电容 D: 三极管极间
- 单管放大电路的上限截止频率与（ ）有关， A: 耦合电容和旁路电容 B: 结电容和极间电容 C: 不确定
- 要提高RC耦合三极管放大电路的上限截止频率，可以选用的方式为（ ）。 A: 选择高频三极管 B: 减小耦合电容及旁路电容 C: 加大耦合电容及旁路电容 D: 尽量减小输入信号幅度
内容
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放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在__________电容。 A: 耦合 B: 旁路 C: 耦合电容和旁路电容 D: 晶体三极管极间
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放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在__________电容。 A: 耦合电容和旁路电容 B: 耦合 C: 晶体三极管极间 D: 旁路
- 2
放大电路在高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在_________电容。 A: 耦合电容 B: 旁路电容 C: 晶体三极管极间 D: 耦合电容和旁路电容
- 3
放大电路的低频段，影响频率的主要原因是______。 A: 级间耦合电容 B: 发射极旁路电容 C: 三极管级间电容
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放大电路的上限截止频率由( )决定。 A: 耦合电容或旁路电容 B: 极间电容 C: 偏置电阻