对于耗尽型绝缘栅场效应管，只有当栅—源极之间加正向电压即UGS〉0时，才存在导电沟道。
错
举一反三
内容
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N沟道增强型绝缘栅场效应管只有外加栅源电压Vgs大于其开启电压Vth时才形成导电沟道
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下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是（ ）。 A: 耗尽型MOSFET的导电沟道，在未加入栅源电压时是不存在的； B: 增强型MOSFET的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现； C: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须小于零 D: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须大于零
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结型场效应管的栅-源之间也可以加正向电压来控制导电沟道的宽度。
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N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS>;0。
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N沟道耗尽型绝缘栅场效应管中,栅源间所加电压可正亦可负。