当uGS=0时,漏源间不存在导电沟道的为 。
A: 增强型MOS管
B: 耗尽型MOS管
C: 结型场效应管
A: 增强型MOS管
B: 耗尽型MOS管
C: 结型场效应管
举一反三
- 栅源控制电压为0时,导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 结型场效应管的类型有()。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 5、下列场效应管中,没有原始导电沟道的是( )。 A: 结型场效应管 B: 耗尽型P沟道MOS管 C: 增强型N沟道MOS管 D: 耗尽型N沟道MOS管
- 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为()。 A: P沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- JFET和耗尽型MOS管的栅—源电压为0V时______导电沟道,而增强型MOS管则______导电沟道。 A: 存在 B: 不存在