关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-27 N沟道耗尽型MOS管,是在栅极和衬底之间的绝缘层中掺入大量的正离子,即使栅-源电压为零,衬底表层也存在导电沟道 N沟道耗尽型MOS管,是在栅极和衬底之间的绝缘层中掺入大量的正离子,即使栅-源电压为零,衬底表层也存在导电沟道 答案： 查看 举一反三 P沟道耗尽型MOS管,是在栅极和衬底之间的绝缘层中掺入大量的负离子,即使栅-源电压为零,衬底表层也存在导电沟道 JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时存在导电沟道 耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。 耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。 JFET和耗尽型MOS管的栅—源电压为0V时______导电沟道，而增强型MOS管则______导电沟道。 A: 存在 B: 不存在
