• 2022-07-25
    以下关于漏磁场的叙述,正确的是
    A: 内部缺陷的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大;
    B: 缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比;
    C: 近表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降;
    D: 只有有缺陷的试件,才会产生漏磁场。