在两种理想介质分界面的两侧，电场的切向分量E1t-E2t=( )。 A: 分界面的电流密度 B: 零 C: 分界面的面电荷密度 D: 以上不都是

2022-07-26

在两种理想介质分界面的两侧，电场的切向分量E1t-E2t=( )。
A: 分界面的电流密度
B: 零
C: 分界面的面电荷密度
D: 以上不都是

答案：

B

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分界面两侧分别为不同的媒质，当媒质的介电常数，磁导率，电导率均在分界面上发生突变时（介质分界面的法向方向定义为由介质1指向介质2），以下说法正确的是_____？ A: [img=383x37]1803a76f0d5b59c.png[/img] B: [img=390x39]1803a76f191233f.png[/img] C: [img=420x40]1803a76f2338ed5.png[/img] D: 电磁场基本方程组的微分形式已经不适用 E: 时变场（不考虑与时间无关的常量）分界面，若其中一侧为理想导体，另一侧为理想介质，则分界面上理想介质侧磁感应强度法向分量为零
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分界面两侧磁场强度H的切向分量之差（）。 A: 始终等于零 B: 等于分界面上的传导面电流密度 C: 等于分界面上的磁化面电流密度 D: 等于分界面上的传导面电流密度加上磁化面电流密度
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在两种理想介质的分界面两侧，电场强度的切向分量
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关于媒质分界面，以下说法错误的是 A: 两种媒质的分界面，分界面两侧极化强度矢量的分布可以计算出极化电荷面密度 B: 两种媒质的分界面，若分界面处的自由电荷面密度为零，则分界面处的电位移法向分量仍然连续 C: 在非导电媒质分界面上自由电荷面密度不为零 D: 若时变场初值为零，则法向分量的边界条件已经含于切向分量的边界条件中
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中国大学MOOC: 在两种理想介质的分界面两侧，电场强度的切向分量( )。