共模抑制比越大,电路抗干扰能力越弱。
错
举一反三
内容
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共模抑制比为____与____之比,电路共模抑制比越大,表明电路抑制____信号的能力越强。
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共模抑制比KCMR越大，表明电路抑制共模信号即抑制零点漂移的能力（ ）。 A: 越强 B: 越弱 C: 与零点漂移无关 D: 与零点漂移有关
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在差分放大器中，常用共模抑制比来衡量放大器的性能，其定义为[img=223x108]17de64fba9b3f71.png[/img]或[img=348x111]17de64fbb4de49c.png[/img]则 ： 未知类型：{'options': ['17de64fbbff42fb.png越大，表示电路对称性越差，对漂移的抑制能力也越强。', '17de64fbbff42fb.png越大，表示电路对称性越好，对漂移的抑制能力也越强。', '17de64fbbff42fb.png越大，表示电路对称性越差，对漂移的抑制能力也越弱。', '17de64fbbff42fb.png越大，表示电路对称性越好，对漂移的抑制能力也越弱。'], 'type': 102}
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共模抑制比越大，说明放大电路对共模信号的抑制能力 ，电路受共模信号干扰的影响 ，放大电路质量 。
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共模抑制比KCMR越大，表明电路的（ ）。 A: 放大倍数越稳定 B: 抑制零漂和干扰信号的能力越强 C: 交流放大倍数越大 D: 输入信号中差模成份越大