图示电路为改进型差分放大器，其中引入VT3的目的是（ ）。[img=482x442]18032d56b96b031.png[/img]
A: 增大共模抑制比
B: 减小差模增益
C: 减小共模抑制比
D: 增大差模增益
A: 增大共模抑制比
B: 减小差模增益
C: 减小共模抑制比
D: 增大差模增益
举一反三
- 图示电路为改进型差分放大器，其中加入电阻[img=28x22]18032d604fa1c0d.png[/img]的目的是（ ）。[img=703x622]18032d605cf07f3.png[/img] A: 增大共模抑制比 B: 减小差模增益 C: 减小共模抑制比 D: 增大差模增益
- 图示电路为改进型差分放大器，其中加入电阻[img=20x22]18032d604c63df6.png[/img]的目的是（ ）。[img=703x622]18032d6059b3143.png[/img] A: 增大差模输入线性范围 B: 增大差模增益 C: 减小差模增益 D: 减小差模输入线性范围
- 差分放大器由双端输出改为单端输出，共模抑制比KCMR减小的原因是（） A: 差模增益不变，共模增益增大； B: 差模增益减小，共模增益不变； C: 差模增益减小，共模增益增大； D: 差模增益增大，共模增益减小；
- 在下图所示电路中，晶体管[img=17x22]17de8b4edc0b4b1.png[/img]可以起到______的作用。[img=316x481]17de8b4ee8c7f10.jpg[/img] A: 增大差模增益 B: 增大共模抑制比 C: 增大差模输入电阻 D: 增大共模增益
- 对共模抑制比描述不正确的是（ ） A: 共模抑制比反映的是差动放大电路抑制共模信号的能力 B: 共模抑制比越大，电路抑制共模信号的能力越强 C: 噪声属于共模信号 D: 电路的差模增益为50，共模增益为0.05，则共模抑制比为40dB