P型半导体中的空穴和自由电子分别由()形成。
A: 掺杂,热激发
B: 热激发,掺杂
C: 掺杂,掺杂
D: 热激发,热激发
A: 掺杂,热激发
B: 热激发,掺杂
C: 掺杂,掺杂
D: 热激发,热激发
A
举一反三
内容
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中国大学MOOC: P型半导体中空穴数远多于自由电子，P型半导体中空穴主要来源是（ ）。a．本征激发 b．掺杂 c．硅或锗原子核外电子
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下列关于本征半导体的描述正确的是？ A: 导电性由其固有的传导性能决定的纯半导体，未掺杂 B: 掺杂的半导体 C: 载流子是由本征激发产生的电子和空穴 D: 载流子主要是本征激发的电子
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中国大学MOOC: N型半导体中自由电子数远多于空穴，N型半导体中自由电子主要来源是（ ）。a．本征激发 b．掺杂 c．硅或锗原子核外电子
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半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。（ ）
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杂质半导体中，多子数量取决于（）。 A: 温度 B: 本征激发 C: 掺杂浓度 D: 半导体类型