（ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A: NPN管和PNP管
B: 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C: N沟道场效应管和P沟道场效应管
D: 三极管和二极管
A: NPN管和PNP管
B: 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C: N沟道场效应管和P沟道场效应管
D: 三极管和二极管
举一反三
- 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。 A: P沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 结型场效应管可分为（）。 A: MOS管和MNS管 B: N沟道和P沟道 C: 增强型和耗尽型 D: NPN型和PNP型
- 栅源控制电压为0时，导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 绝缘栅场效应管可分为N沟道_______MOS管,P沟道增强型MOS管,______沟道耗尽型MOS管和P沟道______MOS管