以下关于高速信号AC电容说法正确的是（）。
A: 高速信号AC电容一般靠近发送端放置
B: AC电容容值一般在0.1uF~10uF之间
C: SAT
D: USB的AC电容靠近连接器放置
E: JESD204B的AC电容一般靠近接收端放置
A: 高速信号AC电容一般靠近发送端放置
B: AC电容容值一般在0.1uF~10uF之间
C: SAT
D: USB的AC电容靠近连接器放置
E: JESD204B的AC电容一般靠近接收端放置
举一反三
- 1、 在进行DDR芯片布局时，（ ）靠近各个引脚放置，（ ）均匀放置在芯片周边。 A: 波电容、储能电容 B: 滤波电容、滤波电容 C: 储能电容、储能电容 D: 储能电容、滤波电容
- 在进行DDR芯片布局时，储能电容靠近各个引脚放置，滤波电容均匀放置在芯片周边。（）
- 在进行DDR芯片布局时，储能电容靠近各个引脚放置，滤波电容均匀放置在芯片周边。（） A: 正确 B: 错误
- 两个10uf的电容并联后总电容为()uf A: 5 B: 8 C: 10 D: 20
- 增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是() A: 在芯片当中的任一位置上放置一个电容 B: 靠近大的驱动器的地方应该放置去耦电容 C: 电源线下方应该放置去耦电容 D: 尽量远离要稳定的电源电压的电路