从理论上分析，光栅上单位长度的刻痕数（ ）。
A: 越多，谱线的分辨率不变。
B: 越多，谱线的分辨率越低。
C: 越少，谱线的分辨率越高。
D: 越多，谱线的分辨率越高。
A: 越多，谱线的分辨率不变。
B: 越多，谱线的分辨率越低。
C: 越少，谱线的分辨率越高。
D: 越多，谱线的分辨率越高。
D
举一反三
- 光谱仪以光栅为色散元件，光栅面上单位距离的刻痕线数越多，则：( ) A: 线色散率变大，分辨率增高 B: 线色散率变大，分辨率降低 C: 线色散率变小，分辨率降低 D: 线色散率变小，分辨率增高
- 以光栅作单色器的色散元件，若工艺精度好，光栅上单位距离的刻痕线数越多，则：（ ）。 A: 光栅色散率变小，分辨率降低 B: 光栅色散率变大，分辨率增高 C: 光栅色散率变小，分辨率增高 D: 光栅色散率变大，分辨率降低
- 以光栅作单色器的色散元件,若工艺精度好,光栅上单位距离的刻痕线数越多,<br/>则: ( ) A: 光栅色散率变小,分辨率降低 B: 光栅色散率变小,分辨率增高 C: 光栅色散率变大,分辨率增高 B光栅色散率变大,分辨率降低 D: 光栅色散率变大,分辨率降低
- 以光栅作单色器的色散元件，若工艺精度好，光栅上单位距离的刻痕线数越多，则：（分辨率R=KN，N是光栅被照亮部分的总刻痕数） A: 光栅色散率变大，分辨率增高 B: 光栅色散率变大，分辨率降低 C: 光栅色散率变小，分辨率降低 D: 光栅色散率变小，分辨率增高
- 以光栅作为单色器的色散元件，如果工艺精度良好，光栅上单位距离的刻痕线数越多，那么 A: 光栅的色散率变小，分辨率降低 B: 光栅的色散率变大，分辨率降低 C: 光栅的色散率变大，分辨率升高 D: 光栅的色散率变小，分辨率升高
内容
- 0
以光栅作单色器的色散元件，若工艺精度好，光栅上单位距离的刻痕线数越多， 则： A: (1) 光栅色散率变大，分辨率增高 B: (2) 光栅色散率变大，分辨率降低 C: (3) 光栅色散率变小，分辨率降低 D: (4) 光栅色散率变小，分辨率增高
- 1
光栅分辨率与其上面每毫米中的刻线数有关。刻线数越多，分辨率越高。（)
- 2
以光栅作单色器的色散元件，若工艺精度好，光栅上单位距离的刻痕线数越多， 光栅色散率变小，分辨率增高
- 3
输入数字量的位数越多，分辨模拟电压的能力越强，分辨率越高。()
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光栅衍射测波长实验中，从理论上分析,谱线的级次( )。 A: 越高,谱线的间距越大 B: 越高,谱线的间距越小 C: 越低,谱线的间距越大 D: 与谱线的间距无关