在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的________向P区运动,P区的________向N区运动。
举一反三
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的__1__向P区运动,P区的 ____向N区运动。
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。
- 在足够能量的太阳光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的电子向P区运动,P区的空穴向N区运动。(<br/>)
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下N区的__1__向P区运动。
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的向P区运动,P区的向N区运动。() A: 空穴,自由电子 B: 空穴,空穴 C: 自由电子,空穴 D: 自由电子,自由电子