关于漂移电流密度的描述不正确的是（ ）
A: 总漂移电流密度是电子漂移电流密度和空穴漂移电流密度之和
B: 空穴漂移电流方向与电场方向相同
C: 电子漂移电流方向与电场方向相反
D: 总漂移电流密度绝对值小于电子漂移电流密度或空穴漂移电流密度的绝对值
A: 总漂移电流密度是电子漂移电流密度和空穴漂移电流密度之和
B: 空穴漂移电流方向与电场方向相同
C: 电子漂移电流方向与电场方向相反
D: 总漂移电流密度绝对值小于电子漂移电流密度或空穴漂移电流密度的绝对值
举一反三
- pn结正偏下总电流密度等于复合电流密度和（）密度之和。 A: 漂移电流 B: 反向饱和电流 C: 扩散电流 D: 以上均是
- 一块均匀的半导体两端加以电压，在半导体内部形成电场，则和电场方向不一致的是 A: 电子漂移运动方向 B: 电子电流方向 C: 空穴漂移运动方向 D: 空穴电流方向
- 在非均匀存在的半导体中，空穴的漂移电流密度方向与外加电场的方向相同。
- 关于半导体中总电流密度的描述不正确的是（ ） A: 是电子漂移电流和扩散电流，空穴的漂移电流和扩散电流之和 B: 电子的迁移率描述了半导体中电子在电场力作用下的运动情况 C: 扩散系数描述了半导体中电子在浓度梯度下的运动情况 D: 迁移率和扩散系数是相互独立的，互不相关
- 电子的漂移电流的方向，与( )相同。