晶体管的（）随着电压升高而相应增大。
A: 电流放大倍数
B: 漏电流
C: 饱和压降
D: 输入电阻
A: 电流放大倍数
B: 漏电流
C: 饱和压降
D: 输入电阻
举一反三
- 温度升高，晶体管的电流放大倍数β增大
- 温度升高,晶体管的穿透电流增大,电流放大倍数增大
- 共模抑制比等于()之比。 A: 输入电压与输出电压 B: 输入电流与输出电流 C: 输入电阻与输出电阻 D: 差模电压放大倍数与共模电压放大倍数
- 判断下列说法是否正确,对的画√,错误的画×____晶体管的输入电阻是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。________在基本共射放大电路中,为得到较高的输入电阻,在固定不变的条件下,晶体管的电流放大系数应该尽可能大些。________在基本共射放大电路中,若晶体管的增大一倍,则电压放大倍数也相应增大一倍。________对于基极分压式工作点稳定电路来说,其电压放大倍数也随的增大成正比的增大。________共集放大电路的电压放大倍数是小于1,故不能用来实现功率放大。________共射放大电路既能放大电压,也能放大电流。________共集放大电路可放大电压,但不能放大电流。____共基放大电路只能放大电流,但不能放大电压。____四
- 温度升高时，二极管的正向压降（ ），反向饱和电流（ ）；三极管的电流放大倍数β值（ ）。 A: 增大 增大 增大 B: 减小 增大 增大 C: 增大 减小 增大