对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（）
A: 平衡载流子浓度成正比
B: 非平衡载流子浓度成正比
C: 平衡载流子浓度成反比
D: 非平衡载流子浓度成反比
A: 平衡载流子浓度成正比
B: 非平衡载流子浓度成正比
C: 平衡载流子浓度成反比
D: 非平衡载流子浓度成反比
D
举一反三
- 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。 A: 非平衡载流子浓度成正比； B: 平衡载流子浓度成正比； C: 非平衡载流子浓度成反比； D: 平衡载流子浓度成反比。
- 关于非平衡载流子的说法，正确的有： A: 一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。 B: 小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。 C: 非平衡少数载流子起重要作用。 D: 非平衡多数载流子起重要作用。
- 对于小注入下的直接复合，当温度和掺杂一定时，非平衡载流子的寿命是一个常数。寿命与多数载流子的浓度（ ）。 A: 无关 B: 成正比 C: 成反比 D: 平方成反比
- 使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
- 影响非平衡载流子寿命的因素包括() A: 费米能级位置 B: 非平衡载流子浓度 C: 复合中心能级位置 D: 温度
内容
- 0
小注入的条件是满足注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小的多。
- 1
半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。通常所说的非平衡载流子是指非平衡少子。 A: 正确 B: 错误
- 2
直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命主要决定于（ ）。 A: 少子浓度 B: 多子浓度 C: 非平衡少子浓度
- 3
什么是非平衡载流子，非平衡载流子寿命。
- 4
（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。