当温度升高使费米能级等于施主能级时，施主杂质有1／3未电离。
错
举一反三
内容
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对于p型掺杂半导体，低温弱电离时，费米能级的位置（ ）。 A: 低于受主能级 B: 高于受主能级 C: 低于施主能级 D: 高于施主能级
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在强电离区，n型半导体的费米能级（ ）。 A: 高于施主能级 B: 低于施主能级 C: 高于受主能级 D: 低于受主能级
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计算施主杂质浓度分别为[tex=14.071x1.429]ORQDPapBhpBbd8MaO2durCBOSUSrcxHm4Yt3tmuwVdjMikEpQpiTapkX7pL7AoD7Z1Uz4eV9F7tbwjYR3Z2lK/gDeRFo8Q386E3jznKdVZNs3QZhvlBtvFmktWBsGiBK[/tex]的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能级核对一下, 上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下的面的 0.05eV。
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什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
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在同时含有施主杂质和受主杂质的半导体中，由于受主能级比施主能级低得多，施主能级上的电子首先要去填充受主能级，使施主向导带提供电子的能力和受主向价带提供空穴的能力因相互抵消而减弱，这种现象称为杂质补偿。