• 2022-07-28
    既有施主杂质又有受主杂质的半导体的电中性方程为:
    A: [img=106x24]1802f268b9a1495.png[/img]
    B: [img=40x17]1802f268c2b7abc.png[/img]
    C: [img=71x25]1802f268cb51525.png[/img]
    D: [img=71x25]1802f268d3fe58a.png[/img]
  • A

    内容

    • 0

      本征半导体的电中性方程为: A: [img=40x17]1803080811360c2.png[/img] B: [img=71x25]180308081a08c33.png[/img] C: [img=71x25]18030808234639c.png[/img] D: [img=106x24]180308082ba6e79.png[/img]

    • 1

      在下列命题中:如果f(x)=[img=28x44]17e0bf9914bb2f1.png[/img],那么[img=27x29]17e0bf97582597b.png[/img]f(x)=0;如果f(x)=[img=28x44]17e0bf992111a1c.png[/img],那么[img=27x29]17e0bf97582597b.png[/img]f(x)=0;如果f(x)=[img=55x44]17e0bf992d8de0a.png[/img],那么[img=29x29]17e0bf9939482bb.png[/img]f(x)不存在;如果f(x)=[img=87x53]17e0bf99450fa82.png[/img],那么[img=27x29]17e0bf97582597b.png[/img]f(x)=0。其中错误命题的个数是( A: 0 B: 1 C: 2 D: 3

    • 2

      设f(x)在|x|>;a上有定义,若___________,使得当|x|>;X时,恒有|f(x)-A|<;ε, 称[img=57x14]17de8197cad5b33.png[/img]时函数f(x)有极限A,记作[img=33x32]17de8197d6e5e38.png[/img][img=71x25]17de8197e309ab5.png[/img]。 A: 存在ε>;0, 存在X>;0 B: 任意ε>;0, 存在X>;0 C: 存在ε>;0, 任意X>;0 D: 任意ε>;0, 任意X>;0

    • 3

      设X与Y独立同分布,X的分布函数为F(x),则Z=min(X,Y)的分布函数G(x)为 A: [img=71x25]1803710a065c458.png[/img] B: [img=46x27]1803710a0e12674.png[/img] C: [img=184x25]1803710a16d9f05.png[/img] D: [img=115x27]1803710a1e9da70.png[/img]

    • 4

      设X与Y独立同分布,X的分布函数为F(x),则Z=max(X,Y)的分布函数G(x)为 A: [img=71x25]1803e18f2ebf33c.png[/img] B: [img=46x27]1803e18f36d2d96.png[/img] C: [img=184x25]1803e18f3f044e9.png[/img] D: [img=115x27]1803e18f481435a.png[/img]