内光电效应包含（ ）。
A: 因光照在金属-半导体接触面产生电动势的光生伏特效应
B: 因光照引起金属电阻率变化的光电导效应
C: 因光照在PN结产生电动势的光生伏特效应
D: 因光照引起半导体电阻率变化的光电导效应
A: 因光照在金属-半导体接触面产生电动势的光生伏特效应
B: 因光照引起金属电阻率变化的光电导效应
C: 因光照在PN结产生电动势的光生伏特效应
D: 因光照引起半导体电阻率变化的光电导效应
A,C,D
举一反三
内容
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2、下列哪一条（ ）不属于光电效应。 A: 光电发射效应 B: 光电导效应 C: 电光效应 D: 光生伏特效应
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光生伏特效应是指在光线照射下半导体材料吸收光后,引起PN结两端产生电动势的现象。常见的光生伏特效应的光电元件有()
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在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称______效应;入射光强改变物质导电率的现象称____效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动势的效应称____ 效应。( A: 光电导 B: 外光电 C: 光生伏特 D: 光电
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内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应。光敏电阻基于（）效应。
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在光照作用下，材料内部产生一定方向电动势的光电效应，称为光生伏特效应。