按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。
A: A热缺陷
B: B杂质缺陷
C: C非化学计量缺陷
D: DA+B+C
A: A热缺陷
B: B杂质缺陷
C: C非化学计量缺陷
D: DA+B+C
举一反三
- 按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ ）。 A: 杂质缺陷 B: 电荷缺陷 C: 热缺陷 D: 非化学计量缺陷
- 按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。 A: 热缺陷 B: 杂质缺陷 C: 非化学计量缺陷 D: A+B+C
- 按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ ）。 A: 热缺陷 B: 非本征缺陷 C: 间隙原子 D: 空位
- 按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。
- 若在NaCl晶体中，含有0.02% mol的CaCl2杂质，则在800℃时，NaCl晶体中占优势的缺陷是？已知在NaCl晶体中，肖特基缺陷的形成能为2.4 eV。 A: 杂质缺陷 B: 肖特基缺陷 C: 弗伦克尔缺陷 D: 非化学计量缺陷