如果模型yt=β0+β1xt+ut，（ ）则说明不存在随机误差项自相关问题。
A: cov(xt，ut)=0
B: cov(us，ut)=0(t≠s)
C: cov(xt，ut)≠0
D: cov(us，ut)≠0(t≠s)
A: cov(xt，ut)=0
B: cov(us，ut)=0(t≠s)
C: cov(xt，ut)≠0
D: cov(us，ut)≠0(t≠s)
B
举一反三
- 在一元线性回归模型中，样本回归方程可表示为：（ ） A: Yt=b0+b1*Xt+ut B: Yt=E(Yt|X)+ut C: Y^t=b0^+b1^*Xt D: E(Yt|Xt)=b0+b1*Xt
- 设线性回归模型为yt=b0+b1xt+ut,ρ为随机误差项ut的一阶相关系数,DW检验的原假设是( ) A: DW=0 B: ρ=0 C: DW=1 D: ρ=1
- 对理想气体来说ΔUT=0,是否说明若水蒸气为理想气体则在25℃下将水蒸发成水蒸气时ΔUT=0?
- 对于模型yt=b0+b1x1t+b2x2t +ut，与r12=0相比，r12＝0.5时，估计量的方差将是原来的
- 下列哪个序列相关可用DW检验（vt为具有零均值，常数方差且不存在序列相关的随机变量）（ ）。 A: ut＝ρvt t B: ut＝ρut－1+ρ2ut－2+…+vt C: ut＝ρut－1+v D: ut＝ρvt+ρ2 vt-1 +…
内容
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如果模型yt=β0+β1xt+ut，（ ）则说明不存在随机误差项自相关问题。
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实验命令“xt=@(t)sin(2*t); yt=@(t)cos(2*t); zt=@(t)t; fplot3(xt,yt,zt,[0 20pi])”,所绘制的图形是【 】
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耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成ID。 A: UGS＞UT B: UGS＜UT C: UGS=0 D: UGS＜UP
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一元线性回归模型Yi=β0+β1Xi+μi的基本假定包括（）。 A: E（μ）=0 B: Var（μ）=σ C: Cov（μ，μ）（i≠j） D: μ～N（0，1） E: X为非随机变量，且Cov（Xμ）=0
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假设回归模型中的随机误差项具有一阶自回归形式。则ut的方差var（ut）为（）。 A: A B: B C: C D: D