晶界面是位错运动的障碍，因而晶粒越细小，晶界越多，位错被阻滞的地方就越多，多晶体的强度就
A: 越高
B: 越低
C: 不确定
A: 越高
B: 越低
C: 不确定
A
举一反三
- 下列关于晶粒、晶界、亚晶界的说法错误的是（ ） A: 晶粒越细小，晶界就越多 B: 晶界越多，晶体材料的硬度就越低 C: 晶粒越细小，晶体材料的强度就越高 D: 亚晶界越多，晶体材料的强度就越高
- 【单选题】下列关于晶粒、晶界和亚晶界的说法中错误的是( ) A. 晶粒越细小,晶界就越多 B. 晶粒越细小,金属的强度越高 C. 晶界越多,金属的强度和硬度就越低 D. 亚晶界越多,强度就越高
- 3. 原始晶粒越细，再结晶速度将：(A) 越快 (B) 不影响 (C) 不确定 (D) 越慢 A: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。 B: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。 C: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。 D: 原始晶粒越细，晶界越多，位错越多，形核越多，再结晶速度越快。
- 关于晶粒、晶界和亚晶界说法错误的是（） A: 晶粒越细，晶界越多 B: 晶粒越细，金属强度越高 C: 晶界越多，强度和硬度越低 D: 亚晶界越多，强度就越高
- 晶粒越细小，界面越多，面缺陷就越多，位错运动的阻力越大，金属的（）就越高。 A: 塑性 B: 硬度 C: 强度
内容
- 0
2. 细晶强化本质是晶粒越细，晶界越多，位错的塞积越严重，材料的强度也就越高。
- 1
晶粒大小与性能的关系描述不正确的是 。 A: 晶粒越细，强度越高。 B: 晶粒越细，塑韧性提高。 C: 晶粒越细，强度越低。 D: 晶粒越细，晶界越多，位错运动的阻力越大。
- 2
2. 细晶强化本质是晶粒越细，晶界越多，位错的塞积越严重，材料的强度也就越高。 A: 正确 B: 错误
- 3
2. 细晶强化本质是晶粒越细，晶界越多，位错的塞积越严重，材料的强度也就越高。 A: 正确 B: 错误
- 4
晶粒越细小，界面就会越多，面缺陷也就越多，位错运动的阻力就会越大，金属的（）就越高。 A: 塑性 B: 韧性 C: 强度 D: 硬度