深能级指能量很靠近导带底的电子束缚态，或能量很接近价带顶的空穴束缚态。
错
举一反三
内容
- 0
硅锗中的III、V族杂质的电离能都很小，所以受主能级很接近价带顶，施主能级很接近导带底，通常将这些杂质能级称为______ 能级。
- 1
下列关于外光电效应表述正确的是： A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和； B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量； C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差； D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
- 2
施主杂质能级靠近() A: 价带顶 B: 导带底 C: 原子核
- 3
电子全部位于导带底,空穴全部位于价带顶
- 4
对于N型半导体来说，以下说法正确的是（） A: 费米能级靠近导带底 B: 空穴为多子 C: 电子为少子 D: 费米能级靠近靠近于价带顶