在晶体的电光调制实验中，半波电压是一个重要的实验参数，以下有关半波电压的描述中，错误的是（ ）。
A: 横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的厚度（垂直于通光方向的几何尺寸）越厚，半波电压越高。
B: 横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的通光长度越长，半波电压越高。
C: 为了降低半波电压，需要尽可能增加通光方向的几何尺寸。
D: 为了降低半波电压，需要将晶体加工成细长的扁长方体。
A: 横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的厚度（垂直于通光方向的几何尺寸）越厚，半波电压越高。
B: 横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件情时，晶体的通光长度越长，半波电压越高。
C: 为了降低半波电压，需要尽可能增加通光方向的几何尺寸。
D: 为了降低半波电压，需要将晶体加工成细长的扁长方体。
举一反三
- 在晶体的电光调制实验中，半波电压是一个重要的实验参数，以下有关半波电压的描述中，错误的是（ ）。 A: 为了降低半波电压，需要尽可能增加通光方向的几何尺寸。 B: 横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件一定时，晶体的通光长度越长，半波电压越高。 C: 横向电光效应的半波电压与晶体的几何尺寸有关，在其他条件一定时，晶体的厚度（垂直于通光方向的几何尺寸）越厚，半波电压越高。 D: 为了降低半波电压，需要将晶体加工成细长的扁长方体。
- 当采用横向电光调制时，半波电压与晶体尺寸无关。
- 在晶体的电光调制实验中，半波电压是一个重要的实验参数，以下有关半波电压的描述中，错误的是（）。
- 电光调制器的半波电压为相位改变π/2所需要的电压。半波电压与晶体的厚度、调制效率、电光系数等有关，半波电压的降低能够有效降低调制器工作消耗的功率。
- 电光调制器的半波电压为相位改变π/2所需要的电压。半波电压与晶体的厚度、调制效率、电光系数等有关，半波电压的降低能够有效降低调制器工作消耗的功率。