形成高自旋配合物的原因是
未知类型：{'options': ['电子成对能P>分裂能[tex=0.857x1.0]ALSdbYxEtmrNpH5mgBLT0g==[/tex]', '电子成对能P<分裂能[tex=0.857x1.0]ALSdbYxEtmrNpH5mgBLT0g==[/tex]', '不能确定[br][/br]'], 'type': 102}
未知类型：{'options': ['电子成对能P>分裂能[tex=0.857x1.0]ALSdbYxEtmrNpH5mgBLT0g==[/tex]', '电子成对能P<分裂能[tex=0.857x1.0]ALSdbYxEtmrNpH5mgBLT0g==[/tex]', '不能确定[br][/br]'], 'type': 102}
举一反三
- 形成高自旋配合物的原因是: 未知类型：{'options': ['电子成对能P>分裂能[tex=0.857x1.0]ALSdbYxEtmrNpH5mgBLT0g==[/tex]', '\xa0电子成对能P<分裂能[tex=0.857x1.0]ALSdbYxEtmrNpH5mgBLT0g==[/tex]', '\xa0电子成对能P=分裂能[tex=0.857x1.0]ALSdbYxEtmrNpH5mgBLT0g==[/tex]', '\xa0不能只根据P和[tex=0.857x1.0]ALSdbYxEtmrNpH5mgBLT0g==[/tex]确定'], 'type': 102}
- 形成高自旋配合物的原因是 未知类型：{'options': ['电子成对能[tex=1.714x1.071]GkQcbbydzS2Jau9+B3oJPg==[/tex] 分裂能[tex=0.857x1.0]TEOW1ZWgcUfvKa3/a5ThAg==[/tex]', '电子成对能[tex=1.714x1.071]Tsi15AY8CFZ+z4GEzLhP2g==[/tex] 分裂能 [tex=0.857x1.0]TEOW1ZWgcUfvKa3/a5ThAg==[/tex]', '电子成对能[tex=1.429x1.0]NX2mP4OB7z7Q10N5DWjFAQ==[/tex]分裂能[tex=0.857x1.0]TEOW1ZWgcUfvKa3/a5ThAg==[/tex]', '不能只根据 [tex=0.643x1.0]WUJ/JHItsc3Bqx1WYNJcrg==[/tex]和[tex=0.857x1.0]TEOW1ZWgcUfvKa3/a5ThAg==[/tex] 确定'], 'type': 102}
- 形成高自旋配合物的原因是 未知类型：{'options': ['电子成对能[tex=1.429x1.071]hp3G0PSShzpMVzcKP8A3dw==[/tex] 晶体场稳定化能 [tex=2.714x1.0]gh1q4t4w/RP12heBMtnSRw==[/tex]', '电子成对能 [tex=1.429x1.071]LbYdEaz92GRPamrcYZeUnA==[/tex]分裂能[tex=0.857x1.0]TEOW1ZWgcUfvKa3/a5ThAg==[/tex]', '电子成对能[tex=1.429x1.071]5LBefxUA0/pwbAJxFLnojw==[/tex]分裂能[tex=0.857x1.0]TEOW1ZWgcUfvKa3/a5ThAg==[/tex]', '不能确定'], 'type': 102}
- 形成高自旋配合物的原因是（ ） A: 电子成对能P＞分裂能Δ B: 电子成对能P＝分裂能Δ C: 电子成对能P＜分裂能Δ D: 不能只根据P和Δ确定
- 对于电子组态为 [tex=0.929x1.214]uQVHqYVJBSxQu7PgcgJkyQ==[/tex]的正八面体过渡金属离子配合物，考虑到电子成对能 P,试计算当高、低自旋构型具有相同能量时, 电子成对能 P 和晶体场分裂能[tex=2.5x1.286]AiFpfT8OOu0LRmO+v9/uBZ05CRewzLEJrIEnmGuWxcM=[/tex]的关系。[br][/br]