对于金属氧化物,下列条件中()不能形成n型半导体。
A: 掺杂低价金属离子
B: 氧缺位
C: 引入电负性大的原子
D: 高价离子同晶取代
A: 掺杂低价金属离子
B: 氧缺位
C: 引入电负性大的原子
D: 高价离子同晶取代
举一反三
- 下列关于n型半导体生成描述正确的有( ) A: 通过向氧化物晶格间隙参入电负性大的杂质原子,可生成n型半导体 B: 通过向氧化物晶格间隙参入电负性小的杂质原子,可生成n型半导体 C: 用低价离子取代晶格中的正离子可生成n型半导体 D: 含有过量金属原子的非化学计量化合物可生成n型半导体
- 金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体,金属原子过剩时形成p型半导体。( ) A: 错 B: 对
- 氧化物半导体MO2中,如果存在氧离子缺位(即少了氧离子),则该半导体会成为____ A: p型半导体 B: n型半导体 C: 本征半导体 D: 非半导体
- 配位滴定只能测定高价的金属离子,不能测定低价金属离子和非金属离子。()
- 配位滴定只能测定高价的金属离子,不能测定低价金属离子和非金属离子。() A: 正确 B: 错误