单一掺杂的半导体，其费米能级随温度 升高是单调下降的。
举一反三
- 固定温度下，迁移率随半导体掺杂浓度升高而单调下降。
- 以下关于“费米能级的变化”说法正确的是： A: 从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级。 B: 费米能级随掺杂浓度的增大向带边（导带底或价带顶）靠近。 C: 费米能级一直随温度升高而降低。 D: 费米能级一直随温度升高而增大。 E: 费米能级随掺杂浓度的增大向上移动。 F: 费米能级随掺杂浓度的增大向下移动。
- 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度的上升而 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近本征费米能级 D: 经过一极大值趋近本征费米能级
- 对于只含有一种杂质的非简并n型半导体,费米能级随温度升高而() A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近Ei D: 经过一极大值趋近Ei
- 对于只含有一种杂质的非简并p型半导体，费米能级EF随温度升高而（） A: 经过一极小值趋近Ei B: 单调下降 C: 单调上升 D: 经过一极大值趋近Ei