可以将P1口的低4位全部置高电平的表达式是( )
A: P1&=0x0f
B: P1|=0x0f
C: P1^=0x0f
D: P1^=0x0f
A: P1&=0x0f
B: P1|=0x0f
C: P1^=0x0f
D: P1^=0x0f
A
举一反三
- 可以将P1口的低4位全部置高电平的表达式是( )。 A: P1&=0x0f B: P1|=0x0f C: P1^=0x0f D: P1^=0xf0
- 可以将P1口的低4位全部置高电平的表达式是（ ） A: A、P1&=0x0f; B: B、P1|=0x0f; C: C、P1^=0x0f; D: D、P1=~P1;
- 可以将P1口的低4位全部置高电平的表达式是()。 A: P1=P1&0x0f B: P1=P1|0x0f C: P1=P1^0x0f D: P1=P1||0x0f
- 可将P1口低四位置高电平的表达式是( )。 A: P1&=0x0f B: P1|=0x0f C: P1^=0x0f D: P1=~P1
- 接上题，如果要把代码省略处的代码补充完整、正确，应选择（ ）。 A: mux2_1 U3( .line[0](p0), .line[1](p1), .s[1](s), .f(f)); B: mux2_1 U3( .p0(p[0]), .p1(p[1]), .s(s[1]), .f(f)); C: mux2_1 U3( .p0(line[0]), .p1(line[1]), .s(s[0]), .f(f) ); D: mux2_1 U3( .p0(line[0]), .p1(line[1]), .s(s[1]), .f(f) );
内容
- 0
设[img=143x35]1803b3baa24b1c3.png[/img]，其密度函数为f(x)，分布函数为F(x)，则 A: P(X<0)=P(X>0) B: P(X<1)=P(X>1) C: F(−x)=1−F(x) D: f(−x)=f(x)
- 1
将P1口的低4位清0,其余位不变,应该用下面表达式: P1&=0x0f
- 2
若p(x)是F(x)中次数大于0的不可约多项式,那么可以得到()。 A: (p(x),f(x))=1或者p(x)|f(x)) B: (p(x),f(x))=1或者p(x)|f(x))或者,p(x)f(x)=0 C: 只能有p(x)|f(x)) D: 只能有(p(x),f(x))=1
- 3
下述表达式可以将P1口的低4位全部置为高电平的是( )。 A: P1 |= 0X0F B: P1 &=0X0F C: P1 ^=0X0F D: P1 = ~P1
- 4
可以将P1口的低4位全部置高电平的表达式是（ ） A: A、P1&=0x0f; B: B、P1|=0x0f; C: C、P1^=0x0f; D: D、P1=~P1;