关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-07-01 “雪崩”击穿理论中增加导电电子是继稳态破坏后突然发生的。 A: 正确 B: 错误 “雪崩”击穿理论中增加导电电子是继稳态破坏后突然发生的。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 “雪崩”击穿理论中增加导电电子是继稳态破坏后突然发生的。 电子雪崩过程会在晶体中形成导电通道导致电击穿 PN结雪崩击穿电压随温度的增加略有增加。 A: 正确 B: 错误 关于PN结的雪崩击穿和齐纳击穿下面表述正确的是（） A: 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是齐纳击穿，电压足够大时发生雪崩击穿 B: 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是雪崩击穿，电压足够大时发生齐纳击穿 C: 发生雪崩击穿时，不发生齐纳击穿 D: 发生雪崩击穿时，齐纳击穿仍然发生 理想PN结的雪崩击穿电压随温度的增加而略有增加。 A: 正确 B: 错误
