辨别本征和非本征缺陷。
本征缺陷（晶格缺陷、晶界等）的EL图像对温度较敏感；非本征缺陷（裂纹、断栅等）导致的EL图像对温度变化不敏感。因此可以通过不同温度下的EL图像的差别来加以区分。
举一反三
- 关于本征扩散和非本征扩散，下列说法错误的是： A: 热缺陷引起的扩散叫本征扩散 B: 杂质缺陷引起的扩散为非本征扩散 C: 在高温区活化能大的为本征扩散 D: 在低温区的活化能较大的为非本征扩散
- 判断(2分) 晶体化合物中,非本征缺陷少,因此非本征扩散是次要机制
- 晶体化合物中，非本征缺陷少，因此非本征扩散是次要机制 A: 正确 B: 错误
- 在离子晶体材料中，由热缺陷引起的扩散为 A: 本征扩散 B: 非本征扩散 C: 自扩散 D: 互扩散
- 在离子型材料中，影响空位扩散机制的缺陷来自热缺陷和掺杂点缺陷，由掺杂点缺陷引起的扩散称为（ ） A: 本征扩散 B: 非本征扩散 C: 稳定扩散 D: 不稳定扩散
内容
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关于本征半导体，下列说法中错误的是（） A: 本征半导体的电导率也受温度的影响 B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C: 本征半导体电流密度来源于电子和空穴对传导的总贡献 D: 纯元素的本征半导体只有硅和锗
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按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ ）。 A: 热缺陷 B: 非本征缺陷 C: 间隙原子 D: 空位
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本征半导体是指()。 A: 不含杂质和缺陷的半导体 B: 电子浓度和本征载流子浓度相等的半导体 C: 空穴浓度和本征载流子浓度相等的半导体 D: 电阻率最高的半导体
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在高温本征温度以上，其电子浓度由非本征电子浓度决定。
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在高温本征温度以上，其电子浓度由非本征电子浓度决定。