CMOS电路如下图所示，TG为CMOS传输门，G为TTL与非门，则C=0, P= ; C=1时，P= 。[img=602x325]1802f52a8558849.png[/img]
A: [img=859x60]1802f52a8f88ff7.png[/img]
B: [img=848x51]1802f52a9da6ecf.png[/img]
C: [img=860x56]1802f52aac3be06.png[/img]
D: [img=858x59]1802f52ab7305fc.png[/img]
A: [img=859x60]1802f52a8f88ff7.png[/img]
B: [img=848x51]1802f52a9da6ecf.png[/img]
C: [img=860x56]1802f52aac3be06.png[/img]
D: [img=858x59]1802f52ab7305fc.png[/img]
举一反三
- CMOS电路如下图所示，TG为CMOS传输门，G为TTL与非门，则C =0时，P = ; C =1时，P = 。[img=602x325]1802d4a4c11fcc3.png[/img] A: [img=859x60]1802d4a4cc47aac.png[/img]，0 B: 1，A C: 0，[img=14x22]1802d4a4d4e2772.png[/img] D: [img=14x22]1802d4a4d4e2772.png[/img]，1
- 设[img=143x35]1803b3baa24b1c3.png[/img]，其密度函数为f(x)，分布函数为F(x)，则 A: P(X<0)=P(X>0) B: P(X<1)=P(X>1) C: F(−x)=1−F(x) D: f(−x)=f(x)
- 设随机变量[img=93x25]180327943b4d5c6.png[/img]，分布函数为F(x)，密度函数为f(x)，则有（ ） A: P(X<0)=P(X>0) B: f(x)=f(-x) C: P(X<1)=P(X>1) D: F(x)=F(-x)
- 设随机变量[img=93x25]1803da321872708.png[/img]，分布函数为F(x)，密度函数为f(x)，则有（ ） A: P(X<0)=P(X>0) B: f(x)=f(-x) C: P(X<1)=P(X>1) D: F(x)=F(-x)
- CMOS电路如下图所示，TG为CMOS传输门，G为TTL与非门，则C =0时，P = ; C =1时，P = 。[img=602x325]17de6177845ce8e.png[/img] 未知类型：{'options': ['17de617791ebbb5.png，0', '1，A', '0，[img=14x22]17de7f0b0ec78af.png[/img]', '17de7f0b0ec78af.png，1'], 'type': 102}