根据（ ） 的不同，位错蠕变可以分为低温下的位错滑动和高温下的位错攀移。
A: 同调温度
B: 围压
C: 空位扩散
D: 颗粒大小
A: 同调温度
B: 围压
C: 空位扩散
D: 颗粒大小
A
举一反三
- 蠕变发生的机理是（） A: 位错攀移 B: 晶界滑动 C: 位错滑移 D: 空位扩散
- 位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（） A: 螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移 B: 刃位错只作滑移，螺位错只作攀移 C: 螺位错只作滑移，刃位错只作攀移 D: 螺位错只作攀移，刃位错也只作攀移
- 高温下金属材料的蠕变不仅有位错的 ，还存在着位错的 。?
- 下列关于蠕变的说法错误的是（） A: 蠕变是指在低于屈服强度的恒定应力下材料的塑性应变随时间延长而增大的现象 B: 位错蠕变是指在较高温度和应力下，位错可发生攀移和交滑移，且空位可沿位错定向扩散，形成较大的应变速率 C: 扩散蠕变的原因是在应力作用下沿晶界不同方向上的空位平衡浓度不同，导致空位通过晶粒内部向垂直于拉应力的方向扩散，形成沿拉应力方向的总变形 D: 在较高应力和温度下还可能发生晶界蠕变
- 位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（ ）。 A: 螺位错只作滑移，刃位错只作攀移 B: 刃位错既可滑移又可攀移 C: 螺位错只作滑移 D: 螺位错既可滑移又可攀移
内容
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高温回复过程中位错的运动主要有（ ） A: 位错的攀移 B: 位错的滑移 C: 位错抵消 D: 位错增殖
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5.5 不含 Si 的 Ti40 合金 460～540℃蠕变时, 位错的滑移和攀移起着主要作用, 合金蠕变受位错和扩散双重机制控制。
- 2
位错蠕变过程中一定不牵涉到空位的扩散。
- 3
位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中刃位错只作滑移，螺位错只作攀移。（ ）
- 4
高温下金属材料的蠕变只有位错的滑移。